高科技注入酒吧燈光設計 聽哲東酒吧設計為你解析秘密

　　科技影響著人們的生活，無時無刻，無處不在。在酒吧設計中，設計師總是在嘗試將科技融入藝術，提升空間的價值。今天ＺＤＤ為大家帶來的是高科技注入酒吧燈光設計，聽哲東酒吧設計為你解析秘密！

　?。蹋牛耐庋悠夹g與設備是外延片制造技術的關鍵所在，金屬有機物化學氣相淀積（Ｍｅｔａｌ－ＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，簡稱?。停希茫郑模┘夹g生長ＩＩＩ－Ｖ族，ＩＩ－ＶＩ族化合物及合金的薄層單晶的主要方法。下面和大家介紹一下燈光知識中ＬＥＤ外延片生長技術的有關資料。

　?。?。氫化物汽相外延片（ＨＶＰＥ）技術

　　采用這種技術可以快速生長出低位元錯密度的厚膜，可以用做采用其他方法進行同質外延片生長的襯底。并且和襯底分離的ＧａＮ薄膜有可能成為體單晶ＧａＮ芯片的替代品。ＨＶＰＥ的缺點是很難精確控制膜厚，反應氣體對設備具有腐蝕性，影響ＧａＮ材料純度的進一步提高。

　?。?。選擇性外延片生長或側向外延片生長技術

　　在酒吧燈光設計中，采用這種技術可以進一步減少位元錯密度，改善ＧａＮ外延片層的晶體品質。首先在合適的襯底上（藍寶石或碳化硅）沉積一層ＧａＮ，再在其上沉積一層多晶態的ＳｉＯ掩膜層，然后利用光刻和刻蝕技術，形成ＧａＮ視窗和掩膜層條。在隨后的生長過程中，外延片ＧａＮ首先在ＧａＮ視窗上生長，然后再橫向生長于ＳｉＯ條上。

　?。?。開發多量子阱型芯片技術

　　多量子阱型是在芯片發光層的生長過程中，摻雜不同的雜質以制造結構不同的量子阱，通過不同量子阱發出的多種光子復合直接發出白光。該方法提高發光效率，可降低成本，降低包裝及電路的控制難度；但技術難度相對較大。

　?。?。改進兩步法生長工藝

　　在小酒吧設計中，目前商業化生產采用的是兩步生長工藝，但一次可裝入襯底數有限，６片機比較成熟，２０片左右的機臺還在成熟中，片數較多后導致外延片均勻性不夠。發展趨勢是兩個方向：一是開發可一次在反應室中裝入更多個襯底外延片生長，更加適合于規?；a的技術，以降低成本；另外一個方向是高度自動化的可重復性的單片設備。

　?。?。懸空外延片技術

　　采用這種方法可以大大減少由于襯底和外延片層之間晶格失配和熱失配引發的外延片層中大量的晶格缺陷，從而進一步提高ＧａＮ外延片層的晶體品質。首先在合適的襯底上（６Ｈ－ＳｉＣ或Ｓｉ）采用兩步工藝生長ＧａＮ外延片層。然后對外延片膜進行選區刻蝕，一直深入到襯底。這樣就形成了ＧａＮ／緩沖層／襯底的柱狀結構和溝槽交替的形狀。然后再進行ＧａＮ外延片層的生長，此時生長的ＧａＮ外延片層懸空于溝槽上方，是在原ＧａＮ外延片層側壁的橫向外延片生長。采用這種方法，不需要掩膜，因此避免了ＧａＮ和腌膜材料之間的接觸。

　?。?。研發波長短的ＵＶＬＥＤ外延片材料

　　它為發展ＵＶ三基色螢光粉白光ＬＥＤ奠定扎實基礎?？晒眨止饧ぐl的高效螢光粉很多，其發光效率比目前使用的ＹＡＧ：Ｃｅ體系高許多，這樣容易使白光ＬＥＤ上到新臺階。

　?。?。開發「光子再回圈」技術

　　日本Ｓｕｍｉｔｏｍｏ在１９９９年１月研制出ＺｎＳｅ材料的白光ＬＥＤ。其技術是先在ＺｎＳｅ單晶基底上生長一層ＣｄＺｎＳｅ薄膜，通電后該薄膜發出的藍光與基板ＺｎＳｅ作用發出互補的黃光，從而形成白光光源。美國Ｂｏｓｔｏｎ大學光子研究中心用同樣的方法在藍光ＧａＮ－ＬＥＤ上疊放一層ＡｌＩｎＧａＰ半導體復合物，也生成了白光。

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